10月10日消息，武汉科技大学宣布，该校材料学部“志同‘稻’合”学生团队采用低温镁热技术，成功从稻杆、稻壳中提取制作一种半导体材料——纳米碳化硅。
其纯度高达99.99%，颗粒尺寸可细达30nm，使稻壳附加值提升9倍以上。
据了解，纳米碳化硅作为一种重要的半导体材料，广泛应用于芯片制造和高端陶瓷等领域，全球对其需求量巨大。
如何低温便捷地从稻杆、稻壳等农业副产物中大规模合成纳米碳化硅，并控制其尺寸形态是技术难点。
目前国内外工业常用碳热还原法制备，温度达1600-2200℃，能耗大且纯度低，转化工艺复杂。
该团队通过数百次的实验和热力学计算，优化了工艺参数，将稻杆和稻壳中的天然纳米氧化硅与碳反应，转化为颗粒均匀的纳米碳化硅产品。
这一过程中，团队自主研发的低温镁热技术和动态热量控制技术，有效解决了镁热过程中因局部高温引起的纳米碳化硅烧结问题，确保了产品的颗粒尺寸细小且均匀。
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